NTP082N65S3HF
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi NTP082N65S3HF
| Artikelnummer: | NTP082N65S3HF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $7.72 |
| 10+ | $6.975 |
| 100+ | $5.7746 |
| 500+ | $5.0284 |
| 1000+ | $4.3796 |
| 2000+ | $4.2174 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
onsemi NTP082N65S3HF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTP082N65S3HF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie FRFET®, SuperFET® III Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 313W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3410 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) Grundproduktnummer NTP082 -
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